ワイドバンドギャップ半導体事件２
投稿日: 2018/04/04 23:19:09
今日は、平成２９年（行ケ）第１００６２号 取消決定取消請求事件について検討します。
特許異議申立では、本件特許の請求項１ないし１０に対して特許異議の申立てがされ、特許庁は，本件訂正を認めた上で請求項１，３に係る特許を取り消す。同請求項６ないし１０に係る特許を維持する。同請求項２，４及び５に係る特許についての特許異議の申立てを却下する、との決定をしました。これに対して原告は請求項１及び３に係る部分の取消しを求めて本件訴えを提起しました。
１．手続の時系列の整理（特許第5818959号）
① 本件特許は、特願2010-121375から分割出願された特願2013-237035からさらに分割出願された第２世代の分割出願です。なお、特願2010-121375からの第１世代の分割出願には特願2014-082994もあります。いずれも特許になっています。
２．特許請求の範囲の記載（訂正後）
【請求項１】
ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオード（１１ａ）を含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１１）と，
前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１１）に並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオード（１１ａ）よりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオード（２１）と，
前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１１）および前記ショットキーバリアダイオード（２１）に接続された出力線（１８）と，
前記ＰＮ接合ダイオード（１１ａ）のアノードを前記ショットキーバリアダイオード（２１）のアノードに接続する第１のワイヤ（３１）と，
前記ショットキーバリアダイオード（２１）の前記アノードを前記出力線（１８）に接続する第２のワイヤ（３２）とを含み，
前記第１のワイヤ（３１）と前記第２のワイヤ（３２）とが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。
【請求項２】 （削除）
【請求項３】
前記ショットキーバリアダイオード（２１）と前記出力線（１８）との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である，請求項１に記載の半導体デバイス。
３．本件決定の理由の要旨
（１）本件決定の理由は，別紙異議の決定書（写し）記載のとおりである。要するに，本件発明は，下記引用例に記載された発明（以下「引用発明」という。）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，取り消すべきものである，というものである。
引用例：特開２０１０－２７８１４号公報（甲１）
（２）本件決定が認定した引用発明，本件発明と引用発明との一致点，本件発明１と引用発明との相違点，本件発明３と引用発明との相違点は，以下のとおりである。
ア 引用発明
ＳｉＣを半導体材料とするＳｉＣＭＯＳＦＥＴと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続された２つの電極を有するＳｉＣショットキーダイオードと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよびＳｉＣショットキーダイオードに接続された第２の配線パターンと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。
イ 本件発明との一致点
ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯＳＦＥＴと，
前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオードと，
前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された出力線と，
前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極に接続する第１のワイヤと，
前記ショットキーバリアダイオードの前記一方の電極を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み，
前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。
ウ 本件発明１との相違点
本件発明１においては，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」がアノードであり，かつ「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードであるのに対し，引用発明においては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードかカソードか不明である点（相違点１）。
エ 本件発明３との相違点
（ア）相違点１
上記ウに同じ。
（イ）相違点２
本件発明３においては「前記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である」のに対し，引用発明においては前記逆起電力の値が不明である点。
４．取消事由
（１）本件発明１の容易想到性の判断の誤り（取消事由１）
ア 引用発明の認定の誤り
イ 本件発明１との相違点１の認定・判断の誤り
ウ 本件発明の課題及び効果の判断の遺脱
（２）本件発明３の容易想到性の判断の誤り（取消事由２）
５．裁判所の判断
１ 本件発明について
本件発明の特徴は，以下のとおりである（本文中に引用する本件明細書の図面は，別紙１本件明細書図面目録記載のとおりである。）。
（１）利用分野
この発明は，インバータ回路，コンバータ回路等の電子回路に用いられる半導体デバイスに関する。（【０００１】）
（２）従来の技術及び課題
従来，ＭＯＳＦＥＴに寄生するＰＮ接合ダイオード（ボディダイオード）に電流が流れるのを防止するために，動作電圧がＰＮ接合ダイオードより低いショットキーバリアダイオードを，ＰＮ接合ダイオードに並列接続する回路構成が提案されている。（【０００３】，【０００４】）
しかし，この回路構成においても，ショットキーバリアダイオードに電流が流れ始めると，ショットキーバリアダイオードを通る電流経路の寄生インダクタンスにより逆起電力が発生し，この逆起電力がショットキーバリアダイオードに並列接続されているＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧に達すると，このＰＮ接合ダイオードに電流が流れてしまうという現象が生じる問題があった。（【０００６】）
この発明の目的は，ＰＮ接合ダイオードに電流が流れるのを抑制できるように構成された半導体デバイスを提供することである。（【０００７】）
（３）課題を解決するための手段
この発明の第１の半導体デバイスは，ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと，前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するユニポーラデバイスと，前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニポーラデバイスに接続された出力線と，前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ユニポーラデバイスの一方の端子に接続する第１のワイヤと，前記ユニポーラデバイスの前記一方の端子を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含んでいる。そして，前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ両ワイヤのなす角度が鈍角である。（【０００８】）
（４）作用及び効果
ユニポーラデバイスに電流が流れると，ユニポーラデバイスの一方の端子と出力線との間のインダクタンスによって，逆起電力が発生する。しかし，ＰＮ接合ダイオードのアノードは第１のワイヤによってユニポーラデバイスの一方の端子に接続されているため，ＰＮ接合ダイオード（ＭＯＳＦＥＴ）には，ユニポーラデバイスの動作電圧に相当する電圧がバイポーラデバイスにかかるに過ぎない。ＰＮ接合ダイオードの動作電圧は，ユニポーラデバイスの動作電圧より低いので，ＰＮ接合ダイオードに電流は流れない。このため，ＰＮ接合ダイオード（ＭＯＳＦＥＴ）に結晶欠陥部が存在していたとしても，結晶欠陥部が拡大するのを抑制できる。（【００１０】）
（５）実施形態
図１は，本発明の第１の実施形態に係るインバータ回路１を示す電気回路図である。インバータ回路１は，第１のモジュール２と第２のモジュール３とを含み，第１のモジュール２は，第１電源端子４１と，第２電源端子４３と，２つのゲート端子４４，４５，と，出力端子４２とを備え，モジュール２の第１電源端子４１は第１出力線１７を介して電源１５（直流電源）の正極端子に接続され，モジュール２の出力端子４２は第２出力線１８を介して誘導性の負荷１６が接続され，モジュール２の第２電源端子４３は第３出力線１９を介して電源１５の負極端子に接続され，モジュール２のゲート端子４４，４５には制御ユニットが接続される。（【００２４】）
第１のモジュール２は，ハイサイドの第１のＭＯＳＦＥＴ１１と，それに直列に接続されたローサイドの第２のＭＯＳＦＥＴ１２とを含み，ＭＯＳＦＥＴ１１，１２は，第１のＰＮ接合ダイオード（ボディダイオード）１１ａおよび第２のＰＮ接合ダイオード１２ａをそれぞれ内蔵している。各ＰＮ接合ダイオード１１ａ，１２ａのアノードは対応するＭＯＳＦＥＴ１１，１２のソースに電気的に接続され，そのカソードは対応するＭＯＳＦＥＴ１１，１２のドレインに電気的に接続されている。（【００２５】）
ＭＯＳＦＥＴ１１，１２には，ユニポーラデバイスである第１のショットキーバリアダイオード２１および第２のショットキーバリアダイオード２２がそれぞれ並列に接続されている。つまり，バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１ａ，１２ａに，ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１，２２が並列に接続されている。（【００２６】）
第１のＭＯＳＦＥＴ１１のドレインは第１のモジュール２の第１電源端子４１に接続され，第１のショットキーバリアダイオード２１のカソードは第１のＭＯＳＦＥＴ１１のドレイン（第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソード）に接続され，第１のＭＯＳＦＥＴ１１のソース（第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのアノード）は，接続金属部材３１を介して，第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードに接続され，第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは，別の接続金属部材３２を介して，第１のモジュール２の出力端子４２に接続されている。つまり，第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは，接続金属部材３２を介して，第２出力線１８に接続されている。接続金属部材３１，３２には，インダクタンスＬ１，Ｌ２がそれぞれ寄生している。（【００２７】）
第１～第４のＭＯＳＦＥＴ１１～１４は，たとえば，ＳｉＣデバイスである。各ショットキーバリアダイオード２１～２４の順方向立ち上がり電圧Ｖｆ１は，各ＰＮ接合ダイオード１１ａ～１４ａの順方向立ち上がり電圧Ｖｆ２より低く，各ＰＮ接合ダイオード１１ａ～１４ａの順方向立ち上がり電圧Ｖｆ２はたとえば２．０Ｖであり，各ショットキーバリアダイオード２１～２４の順方向立ち上がり電圧Ｖｆ１はたとえば１．０Ｖである。（【００３２】）
２ 取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）について
（１）引用発明の認定の誤りについて
ア 引用例の記載
引用例には，おおむね，以下の事項が開示されている（本文中に引用する図面は，別紙２引用例図面目録記載のとおりである。）。
（ア）技術分野
本発明は，生産性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関し，特に，小型で大電流化を実現するとともに，信頼性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関する。（【０００１】）
（イ）背景技術
大電流，高電圧で動作するとともに，動作に伴う発熱を外部に効率良く逃がす電力用半導体装置として，放熱板となる金属板に絶縁層としてのセラミック板を介して配線パターンが形成された基板に電力用半導体素子を搭載し，シリコーンゲルを介して熱硬化性樹脂で注型された電力用半導体装置がある。（【０００２】）
（ウ）実施の形態１
図１は，本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置における回路基板上のトランスファーモールド樹脂を除いた状態の平面模式図である。
図２は，図１に示す電力用半導体装置において回路基板上にトランスファーモールド樹脂がある状態でのＡ－Ａ断面の模式図である。
図１と図２とに示すように，本実施の形態の電力用半導体装置１００は，金属放熱板１の一方の面に樹脂絶縁層２を設け，この樹脂絶縁層２における金属放熱板１が接合された面と対向する面に配線パターンを設けて形成した金属回路基板が用いられている。配線パターン上には，電力用半導体素子である，ＩＧＢＴ４とＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５とが搭載され，配線パターンとはんだ６等により電気的に接続されている。また，ＩＧＢＴ４とダイオード５との上面電極は，配線手段であるワイヤーボンド７により，対応する配線パターンと電気的に接続されている。（【００１３】）
配線パターンには筒状外部端子連通部が，配線パターンに対して略垂直に接合されている。
具体的には，主回路であるＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａには，第１の筒状外部端子連通部８ａが接合され，主回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂには，第２の筒状外部端子連通部８ｂが接続され，制御回路であるＩＧＢＴ４のゲート電極に電気的に接続された第３の配線パターン３ｃには，第３の筒状外部端子連通部８ｃが接合され，制御回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極のみと電気的に接続された第４の配線パターン３ｄには，第４の筒状外部端子連通部８ｄが接合されている。（【００１４】）
次に，配線パターン上の所定の場所に設けられた素子搭載部に電力用半導体素子であるＩＧＢＴ４およびダイオード５を，そして，配線パターン上の所定の場所に設けられる筒状外部端子連通部接合部に筒状外部端子連通部を，各々はんだ６を用いて接合する。具体的には，ＩＧＢＴ４とダイオード５と第１の筒状外部端子連通部８ａとは第１の配線パターン３ａに，第２の筒状外部端子連通部８ｂは第２の配線パターン３ｂに，各々接合する。そして，制御回路につながる第３の筒状外部端子連通部８ｃと第４の筒状外部端子連通部８ｄとは，各々第３の配線パターン３ｃと第４の配線パターン３ｄとに接合する。（【００２４】）
そして，配線パターンとＩＧＢＴ４との間，ＩＧＢＴ４とダイオード５との間，ダイオード５と配線パターンとの間，の各間の導通が必要な箇所をアルミニウムのワイヤーボンド７で接続する。
次に，ワイヤーボンディングされた電力用半導体素子と筒状外部端子連通部とを搭載した金属回路基板は，金型にセットされ，トランスファーモールド法により，例えば，シリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂系トランスファーモールド樹脂９で封止して，電力用半導体装置を完成する。（【００２５】）
本実施の形態では，電力用半導体素子に，ＩＧＢＴ４とダイオード５が用いられているが，電力用半導体素子は，これに限定されるものではなく，例えば，ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよく，またＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い。また，電力用半導体素子の材料としては，一般的なシリコンのほかに，炭化珪素（ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体でも良い。
また，本実施の形態では，各電力用半導体素子間や電力用半導体素子と配線パターンとの間の接続，すなわち，配線手段にワイヤーボンド７を用いているが，この方法に限定されるものではない。
また，本実施の形態では，金属回路基板を用いているが，例えば，高熱伝導絶縁層であるセラミック板と，セラミック板の一方の面に設けられた銅箔の配線パターンと，セラミック板の他方の面に設けられた銅箔の金属放熱板からなるセラミック基板を用いても良い。（【００３２】）
図１及び図２には，ＩＧＢＴ４の上面電極及びダイオード５の上面電極が，ワイヤーボンド７を介して，第２の配線パターン３ｂに電気的に接続されていることが記載されていると認められる。
図１には，ＩＧＢＴ４の上面電極とダイオード５の上面電極とを繋ぐワイヤーボンド７の部分と，ダイオード５の上面電極と第２の配線パターン３ｂとを繋ぐワイヤーボンド７の部分のなす角度が平面視において鈍角であることが記載されていると認められる。
イ 引用発明の認定について
（ア）引用例【００３２】の「ＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い」との記載から，ＭＯＳＦＥＴとダイオードとが逆並列に接続されている構成が排除されると読むことはできず，引用例にはかかる構成を排除するとの記載や示唆はない。よって，引用発明において，ＭＯＳＦＥＴとダイオードとが逆並列に接続されている構成も許容されると解される。
そして，ＩＧＢＴとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとは，スイッチングを行う三端子素子である点で共通しており，ダイオードとショットキーバリアダイオードは二端子素子である点で共通していることに照らせば，【００３２】には，ＩＧＢＴとダイオードを用いた電力用半導体素子の他に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴを用いたもの，ショットキーバリアダイオードを用いたもの，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとを用いたものなどの形態についても，記載されていると認められる。
（イ）もっとも，引用例には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せに換えて，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せとする際に，ＩＧＢＴのどの電極とＳｉＣＭＯＳＦＥＴのどの電極とを対応付け，ダイオードのどの電極とショットキーバリアダイオードのどの電極とを対応付けて置換するかについては明記されていない。
しかし，引用例におけるＩＧＢＴ４及びダイオード５の組合せは，「ＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａ」がＩＧＢＴ４とダイオード５の下面にあり，「ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂ」が，ＩＧＢＴ４とダイオード５の上面をつなぐワイヤーボンド７と接続していることから（【００１３】，【００１４】，図１，２），ＩＧＢＴの上面に配置される電極がゲート電極とエミッタ電極で，下面に配置される電極がコレクタ電極であり，上面に配置されるダイオードの電極がカソード電極で，下面に配置される電極がアノード電極であると認められる。
また，ＩＧＢＴ４とダイオード５は逆並列に接続され（【００１４】），ダイオードに流れる順電流の向きは，下面に配置されたアノード電極から上面に配置されたカソード電極への向きであることは，当事者間に争いがない。このことに鑑みると，ＩＧＢＴ４に流れる電流の方向は，上面に配置されたエミッタ電極から下面に配置されたコレクタ電極の向きであると認められる。このように，エミッタ電極からコレクタ電極に向かって電流が流れるＩＧＢＴは，ｐチャネル型のＩＧＢＴであるから，引用例のＩＧＢＴ４は，ｐチャネル型のＩＧＢＴであると解される。
引用例１では，ＩＧＢＴ４の上面のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂから，ワイヤーボンド７を介して，ＩＧＢＴ４の下面のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａに流れる電流を，制御回路であるＩＧＢＴ４のゲート電極に電気的に接続された第３の配線パターン３ｃに入力された信号に基づいてスイッチングする動作が行われる（【００１４】，【００２４】，【００２５】）。そして，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合に，動作を異ならせる理由はないから，ＩＧＢＴ４については，上面にゲート電極とソース電極が配置され，下面にドレイン電極が配置されるｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴで置き換え，ダイオード５については，上面にカソード電極が配置され，下面にアノード電極が配置されるショットキーバリアダイオードで置き換えるようにすると考えられる。
ｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴにおける電流の流れる向きは，ソース電極からドレイン電極への向きであるから，このＳｉＣＭＯＳＦＥＴに寄生するｐｎ接合ダイオードとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとの接続は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とｐｎ接合ダイオードのカソード電極とが接続され，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのドレイン電極とｐｎ接合ダイオードのアノード電極とが接続されることになる。
したがって，このような置換えが行われる場合，第１のワイヤが接続されるｐｎ接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極はいずれもカソード電極となると解される。
（ウ）以上によれば，引用例には，「ＳｉＣを半導体材料とするＳｉＣＭＯＳＦＥＴと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続された２つの電極を有するＳｉＣショットキーダイオードと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣショットキーダイオードに接続された第２の配線パターンと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドとを含み，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣショットキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。」との発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されているものと認められる。よって，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極がいずれも不明であるとした本件決定の認定には，誤りがあるというべきである。
ウ 被告の主張について
被告は，「ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続」して，これらを上面電極としてワイヤーボンド７で接続する（【００１４】）との記載について，一般にＩＧＢＴのゲート電極とエミッタ電極は上面に配置されることから，ＩＧＢＴ４のエミッタ電極を上面電極とすることは正しいと考えられる一方，「ダイオード５のカソード電極」の「カソード電極」は「アノード電極」の誤記と考えられ，「カソード電極」と認定することはできず，ＩＧＢＴ４とダイオード５を置き換えたＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードの電極の極性は，引用例の記載から特定できない旨主張する。
しかし，①特開２００４－６５２０号（甲２９）の，実施例２のｎチャネルＩＧＢＴ，実施例４のｐチャネルＩＧＢＴが，いずれも，「ＭＯＳに比べ動作周波数は低いものの高耐圧，大電流領域で使用される為，低オン電圧，低スイッチング損失による素子寿命向上が可能となる」（【００２９】，【００３５】，図３，５）との記載，②特開平４－３０４７６号（甲３０）の「以上の実施例はｎチャネルＩＧＢＴについて述べたが，導電型を入れ換えたｐチャネルＩＧＢＴでも同様に実施でき，同様の効果を得ることができる」（３頁右下欄１０～１３行目）との記載，③特開平６－６９５０９号（甲３１）の「前述の実施例では，Ｎチャネル型ＩＧＢＴについて説明したが，本発明ではＰチャネルを用いることもできる」（【００３１】）との記載，④特開平１０－５０９９３号（甲３２）の「同実施形態にあっては，この発明にかかる電流検出機能付き半導体装置をｎチャネルＩＧＢＴに適用した場合について示したが，ｐチャネルＩＧＢＴについても同様に適用できることは云うまでもない」（【００４０】）との記載にも照らすなら，ＩＧＢＴには，コレクタ電極からエミッタ電極に電流が流れるｎチャネル型だけではなく，エミッタ電極からコレクタ電極に電流が流れるｐチャネル型も存在することが認められる。そうすると，ＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極が接続され，ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極が接続される構成も存在する以上，「ダイオード５のカソード電極」（【００１４】）の「カソード電極」を「アノード電極」の誤記と解することはできず，他に誤記と解すべき根拠はない。
そして，ダイオード５の極性がカソード電極である以上，ＩＧＢＴ４とダイオード５を置き換えたＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードの電極の極性は認定できるから，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極が不明であるとはいえず，被告の主張は採用できない。
（２）本件発明１と引用発明Ａとの一致点及び相違点について
本件発明１と前記認定の引用発明Ａとを対比すると，本件決定の認定した，本件発明１と引用発明との一致点（前記第２の３（２）イ）と同様の点において一致するとともに，以下の点において，相違する。
本件発明１においては，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」がアノードであり，かつ「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードであるのに対し，引用発明Ａにおいては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がカソードである点（相違点１’）。
（３）本件発明１の容易想到性について
ア 容易想到性の判断
（ア）引用発明Ａでは，第１のワイヤが接続されるｐｎ接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極は，いずれもカソード電極となる。
そして，引用例には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合，置換えの前後で動作を異ならせる旨の記載や示唆はない。
また，引用発明Ａは，「トランスファーモールド樹脂で封止した電力用半導体装置には，主端子に大電流を流すことができるブスバーの外部配線が，ねじ止めやはんだ付けで固定されるため，電力用半導体装置の組み立て時において，主端子部におおきな応力が働き，この応力により，主端子の外側面とトランスファーモールド樹脂との接着面に隙間が発生したり，トランスファーモールド樹脂本体に微細なクラックが発生する等の不具合を主端子部に生じ，電力用半導体装置の歩留まりが低くなり生産性が低下するとともに，信頼性も低下する」ことを課題とし，「トランスファーモールド樹脂により封止された電力用半導体装置であって，主回路に接続される主端子に大電流を流すことのできる外部配線を接続しても，外部配線の接続により主端子部に発生する不良を低減でき，歩留まりが高く生産性に優れるとともに，信頼性の高い電力用半導体装置を提供すること」を目的とする発明であって（【０００７】，【０００８】），この目的を達成することと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの型や並列接続するショットキーバリアダイオードの接続方向を変更することは，無関係である。
したがって，当業者が，引用発明Ａにおいて，上記目的を達成するために，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」をカソード電極からアノード電極に変更する動機付けがあるとはいえないから，相違点１’に係る本件発明１の構成を当事者が容易に想到できたものであるとは認められない。
（イ）さらに，本件発明は，ＭＯＳＦＥＴに寄生しているｐｎ接合ダイオードに電流が流れると，ＭＯＳＦＥＴの結晶欠陥が拡大してデバイス特性が劣化し，特に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴでは，寄生ｐｎ接合ダイオードに電流が流れると，オン抵抗が増大するという課題があったが，ショットキーバリアダイオードを並列接続してもｐｎ接合ダイオードに電流が流れてしまう現象が生じていることから（【０００２】～【０００４】，【０００６】），本件発明１の構成を採用し，第２のワイヤに寄生するインダクタンスによって，ｐｎ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上の逆起電力が発生しても，ｐｎ接合ダイオードに電流が流れないようにする（【００１４】）との作用効果を奏するものである。
しかし，引用発明Ａの課題及び目的は，前記（ア）のとおりであり，引用例には，ダイオード５やワイヤーボンド７にインダクタンスが寄生することについての記載や示唆はないことから，引用例に接した当業者が，引用発明Ａに本件発明の作用効果が期待されることを予想できたとはいえない。
（ウ）以上によれば，本件発明１を当業者が容易に想到できたとは認められない。
イ 被告の主張について
（ア）被告は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの制御電極であるゲート電極と同じ面にある電極をワイヤーボンドで繋ぐとの引用例の示唆や，「パワーＭＯＳＦＥＴの構造と応用分野」との文献（甲３）に記載された周知技術を考慮して，引用発明のＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐことは当業者が容易になし得るとした本件決定に誤りはない旨主張する。
甲３文献の図２－１及び図２－２には，パワーＭＯＳＦＥＴにおいて，ソース電極とゲート電極を上面に設けることが記載されており，「ソース電極とゲート電極を上面に設けたＭＯＳＦＥＴ」は，周知技術であると認められる（以下「甲３周知技術」という。）。また，甲３文献には，ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴの開示がある。
しかしながら，甲３文献によっては，ゲート電極とソース電極とを上面に設ける構造のＭＯＳＦＥＴがｎチャネル型であることに限定されるとはいえないから，ソース電極をゲート電極とともに上面に設ける構造のｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴが否定されるものではない。
そして，前記の引用発明Ａの課題及び目的（引用例【０００７】，【０００８】）に照らすなら，引用発明Ａの技術的意義は電力用半導体素子の極性に直接依存するものではないから，引用発明ＡのＳｉＣＭＯＳＦＥＴをゲート電極とソース電極とを上面に設ける構造のｎチャネル型のものとすることについての記載や示唆があるとはいえない。
したがって，引用例に甲３周知技術を考慮しても，引用発明ＡのＳｉＣＭＯＳＦＥＴをゲート電極とソース電極とを上面に設ける構造のｎチャネル型のものに変更すべき動機付けはないから，被告の主張は採用できない。
（イ）被告は，引用発明のＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーダイオードは並列に接続して還流を流すものであるから，技術常識と特開２００９－１８３１１５号公報（甲４）に開示された発明に基づき，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのアノード電極を接続することは当業者が容易になし得るとした本件決定に誤りはない旨主張する。
甲４文献には，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴをスイッチング素子として使用する場合は，図３に示すように，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１３０）に並列にＳｉＣＳＢＤ（１３２）を接続して還流ダイオードとして使用する構成が検討されている。」（【００１９】）との記載があり，図３には，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ１３０のソースとＳｉＣＳＢＤ１３２のアノードを接続すること」が記載されており，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーバリアダイオードを並列に接続して還流ダイオードとして使用する場合に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソースとＳｉＣショットキーバリアダイオードのアノードを接続すること。」との発明（以下「甲４発明」という。）が記載されていることが認められる。
また，①甲４文献には，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１３０）の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして使用」（【００１６】）すること，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１３０）の寄生ダイオード（１３１）と同じ構造のＳｉＣ ｐｎダイオード」（【００２０】），「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ１３０のソース電極側が寄生ダイオード１３１のアノードとなること」（図２）の記載があること，②特開２００８－０１７２３７号公報（甲６）には，「ＳｉＣ－ＦＥＴに内在するダイオード（ボディダイオード）を還流ダイオードとして用いると，ボディダイオードによるバイポーラ動作によりＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行する」（【０００２】），「ＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２」，「ＰＮ接合ダイオードに関するショックレーモデル…及び電荷制御モデル…からＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２のＯＮ開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈを以下の式で示すことが出来る」（【００１１】），ＳｉＣ－ＦＥＴ１のソース電極側がボディダイオード２のアノードとなること（図１）の記載があることによれば，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴはｐｎ接合ダイオードを寄生ダイオードとして含み，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオードのアノードとなるＳｉＣＭＯＳＦＥＴがあること」は，技術常識と認められる（以下「技術常識１’」という。）。
しかしながら，ＭＯＳＦＥＴの構成が，ゲート電極とソース電極とを上面に設ける構造に限定されることや，ＭＯＳＦＥＴがｎチャネル型に限定されることの根拠はないことは前記のとおりである。そうすると，ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴに寄生するｐｎ接合ダイオードは，ＭＯＳＦＥＴのソース電極側がｐｎ接合ダイオードのカソード電極となるから，技術常識１’における「ＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオードのアノードとなる」との事項は，ＭＯＳＦＥＴの型を問わず妥当するものとは解されない。
また，引用発明ＡのＳｉＣＭＯＳＦＥＴはｐチャネル型であるところ，ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴではソース電極からドレイン電極の方向に電流が流れるから，還流を流すためのショットキーバリアダイオードとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとの接続は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソースとショットキーバリアダイオードのカソードとの接続となる。そうすると，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴがｐチャネル型である引用発明Ａにおいて，ＭＯＳＦＥＴのソースとショットキーバリアダイオードのアノードとを接続することで，ＭＯＳＦＥＴと並列に接続したショットキーバリアダイオードに還流を流すとの甲４発明の構成を適用する動機付けはないから，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とショットキーバリアダイオードのアノード電極とを接続することを，当業者が容易に想到することができたものとは認められない。
よって，被告の主張は採用できない。
（４）小括
以上によれば，本件発明１には進歩性が認められるから，取消事由１は理由がある。
３ 取消事由２（本件発明２の容易想到性の判断の誤り）について
（１）本件発明３と引用発明Ａとの一致点及び相違点について
本件発明３と前記認定の引用発明Ａとを対比すると，本件決定の認定した本件発明３と引用発明との一致点（前記第２の３（２）イ）と同様の点において一致し，相違点２（前記第２の３（２）エ（イ））と同様の点において相違するとともに，相違点１’（前記２（２））において相違する。
（２）本件発明３の容易想到性について
前記２（３）のとおり，相違点１’に係る構成が容易に想到できない以上，相違点２について検討するまでもなく，本件発明３には進歩性が認められるから，取消事由２は理由がある。
６．検討
（１）本件発明は、ＰＮ接合ダイオードを含むSiCMOSFETと並列に接続されたショットキーバリアダイオードがあって、ＰＮ接合ダイオードのアノードとショットキーバリアダイオードのアノード間を接続する第１のワイヤと、ショットキーバリアダイオードのアノードと出力線とを接続する第２のワイヤとを有する半導体デバイス、というものです。これは、ショットキーバリアダイオードのアノードと出力線間は第２のワイヤで接続されているのに対して、ＰＮ接合ダイオードのアノードと出力線間はショットキーバリアダイオードのアノードを経由するため第１のワイヤと第２のワイヤとで接続されているため必然的にショットキーバリアダイオードから出力線間のインダクタンスがSiCMOSFETから出力線間のインダクタンスより小さくなるという意味だと思います。
（２）このように特許請求の範囲にはインダクタンスの大小関係について直接規定せず、ワイヤの構造で表現する方が後々侵害の摘発が楽になります。つまり、ワイヤ構造で規定すればワイヤの長短だけで文言上侵害と判断できますが、インダクタンスの大小関係を規定してしまうと、厳密に考えると実測すべきということになってしまいます。本発明のようにインバータ回路は製品に組み込まれているので実際の製品構造によっては実測が非常に難しいケースも多いです。
（３）「平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角」という規定の技術的な意義はよくわかりません。特許第5865422号の特許請求の範囲にも同じような構成が補正により追加されています。少しでも特許が取り消されたり無効になったりしにくくするためだったのかもしれません。
（４）判決は、引用例には，ＩＧＢＴとダイオードとの組合せをＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換えることが記載されていると認めました。その上でＩＧＢＴのどの電極とＳｉＣＭＯＳＦＥＴのどの電極とを対応付け，ダイオードのどの電極とショットキーバリアダイオードのどの電極とを対応付けて置換するかについては明記されていない、とした上で、このような置換えが行われる場合，第１のワイヤが接続されるｐｎ接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極はいずれもカソード電極となると解される、認定し、本件発明とは異なると判断しました。
（５）本件は前回に続いてワイドバンドギャップ半導体に関する発明の取消決定取消請求事件でした。たまたま同じような時期に取消決定取消請求がなされたので、同じタイミングで判決が出たのでしょうが、前回検討した発明はコストダウンのためにショットキーバリアダイオードの代わりに寄生ダイオードを利用するという内容でしたが、今回は寄生ダイオードに電流が流れることを防止することを目的とするものでした。発明の発想のポイントになる構成に対するアプローチが正反対の２件の特許についての判決が同日に出たというのは面白いです。
（６）本件発明に関する技術が搭載された製品が存在するのか気になり、原告のホームページを見ていたら２０１２年６月１４日付のニュースリリースに「世界で初めてSiC-SBDとSiC-MOSFETを1パッケージ化し、量産開始 インバータにおける電力損失を大幅に低減し、部品点数削減にも大きく貢献」というものがありました。この記事の中に「独自の実装技術により、従来外付けする必要があったSiC-SBDの同梱にも成功し、SiC-MOSFETにおけるボディダイオードの課題であった順方向電圧を低減することが可能となりました」というものがあったので、ひょっとしたらこれが本件発明に関するものかもしれません。